Поверхностные ионные ловушки с интегрированными элементами, предзащита диплома МГУ | Заруцкий Семён

Предзащита диплома специалиста в Центре квантовых технологий МГУ, Физфак В работе рассматривается разработанный дизайн чипа поверхностной ионной ловушки с интегрированным сверхпроводящим однофотонным детектором и элементами интегрированной фотоники для адресации и считывания состояний ионов кальция-40. Исследуется влияние радиочастотного (RF) поля ловушки на работу сверхпроводящего однофотонного детектора (Superconducting Single-Photon Detector, SSPD) и анализируются методы компенсации возникающих наводок на детектор. Обсуждается, как предложенный дизайн, совмещающий ионную ловушку, SSPD и интегрированную фотонику, позволяет сделать шаг к масштабируемой архитектуре ионных квантовых процессоров за счет объединения трех технологий на одном чипе. Примечание: Тут был дан некорректный ответ на вопрос про диэлектрик V-Groove. Диэлектрические элементы в ионных ловушках могут накапливать заряд под действием излучения. Этот заряд же может сохраняться длительное время из-за низкой проводимости, несмотря на наличие путей утечки заряда. Следствием этого могут являться нежелательные флуктуации электрического поля в зоне поимки иона.