Отличный IGBT TOSHIBA 50JR22.

Распаковка и проверка IGBT TOSHIBA 50JR22. На вид сделан добротно: выводы толстые, пластик не выступает. Напряжение пробоя К-Э 803В, по паспорту 600В. Входная емкость 3,4нФ, при справочной 2,7нФ. Напряжение насыщения К-Э при токе 50А составило 2В, что соответствует справочному листу 1,55-2,2В. Отличный транзистор для сварочника: https://aliexpress.ru/item/32950848210.html